中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质

摘要： 利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm处出现了3个绿色发射峰,其中,510和540 nm处的发射峰在经过1 600℃退火后依然存在。中子辐照导致SiC的截止波长由393 nm增大到1 726 nm;随退火温度提高,截止波长逐渐减小,并在1600℃退火后完全回复。Raman光谱显示:辐照诱发了许多新的振动模,如187、278、435和538cm-1处的Si—Si键振动模,600、655和709 cm-1处的Si—C键振动模和1419cm-1处C—C键振动模。辐照缺陷引起声子限制效应,表现为FTO2/6和FLO0/6Raman特征峰的不对称性展宽和红移。在低于1000℃退火阶段,主要表现为不对称性展宽和红移逐渐减弱;在高于1000℃退火阶段,主要表现为辐照产生的新Raman峰逐渐消失。 （共6页）