氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)

发光学报页数： 6 2012-07-15

摘要：采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压(I-V)测试表明:在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10-3S.m-1增加到2.1×10-2S.m-1。高温变温电导测试表明:氮空位(V3N+)和Si在AlN中的激活能为1.03 eV和0.45 eV。（共6页）

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