2.2.1 干涉写制技术

    干涉写制技术的代表有驻波干涉技术(SWIT)、全息相干技术(HCT)。1)驻波干涉技术SWIT由K.O.Hill等人[3]首先发现并实现,其光栅写制装置及Hill光栅(即FBG)反射光栅谱如图2-1所示。(1)成栅机制。注入光纤的单频入射光和从光纤另一端面返回的......查看详细>>

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2.2.2 掩模写制技术

    掩模写制技术(MWT)有相位掩模技术(PMT)与振幅掩模技术(AMT)之别。1)相位掩模技术相位掩模技术亦称相位光栅衍射相干技术,由K.O.Hill等人[8]提出并实现,其光栅写制装置及FBG光谱如图2-3所示。图2-3　相位掩模技术成栅装置及FBG反射谱(......查看详细>>

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2.2.3 逐点写制技术

    逐点写制技术(PPWT)亦称点点写入技术,由D.D.Davis等人[10]提出并实现,其光栅写制装置及利用CO2激光写制的LPFG光谱如2-5所示。图2-5　逐点写制技术成栅装置及LPFG透射谱(1)成栅机制。将聚焦激光束(如CO2激光或飞秒激光)投射到由精密机构......查看详细>>

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2.3.1 多次曝光写制技术

    多次曝光写制技术是指对光纤写制区域进行多次曝光,以实现特殊需求的光纤光栅制作。该技术一般以二次曝光为主。这种技术很适用于制作均匀及非均匀的特种光纤光栅。1)掩模板二次曝光技术该技术要点为:首先,用一不透光挡板沿......查看详细>>

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2.3.2 变迹曝光写制技术

    变迹曝光写制技术是指通过控制激光的输出功率以及曝光区域(纤芯或包层)的扫描方式,实现对写制区域折射率分布的包络改变。该技术很适用于制作诸如切趾型、Tapered型等非均匀光纤光栅,但曝光光束的输出功率及扫描速率须精确调......查看详细>>

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2.3.3 外场作用写制技术

    外场作用写制技术是指在光纤曝光的同时对其施加外场作用(如应力致拉伸或压缩、压力致形变或弯曲、力矩致扭曲或缠绕、温度致膨胀或收缩等),实现对纤芯或包层折射率分布的控制。该技术适用于各种类型的光纤(如单模光纤、多......查看详细>>

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2.3.4 光纤在线写制技术

    光纤在线写制技术属于全息相干技术与逐点写制技术的有机组合。在光纤拉制过程且纤芯未包层之前将光栅写入光纤。改变脉冲激光功率、干涉光束的交角及光纤拉制速度,可灵活地调控光栅参数。该技术对大批量生产光纤光栅及在......查看详细>>

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2.3.5 涂覆填充写制技术

    采用特种介质对光纤的表面或内部进行周期性的涂覆或者填充处理,可以实现对纤芯或包层折射率分布的灵活控制,设计和研制多种类型的光纤光栅。对于涂覆材料以及填充介质的选择,则需根据光纤光栅的结构和性质来决定。1)金属衬......查看详细>>

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2.3.6 腐蚀拉伸写制技术

    腐蚀拉伸写制技术是指采用化学腐蚀的方法对光纤进行处理,使其产生具有周期性的凹陷或形变,从而改变光纤的折射率分布并在应力作用下形成光栅。通过控制光纤腐蚀时间和区域、对光纤轴向施加不同的应力作用,可以调控光栅的......查看详细>>

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2.3.7 刻槽压力写制技术

    刻槽压力写制技术是指利用精密机械加工技术刻制周期性的凹形槽对光纤进行侧向施压,从而产生应力型光纤光栅效应。该技术目前使用较少,一般仅限于实验室研究,采用机械感生法,可以机械诱导长周期光纤光栅(MI-LPFG),如应力型LP......查看详细>>

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