(1)阳极鞘层的结构阳极鞘层除鞘电压的大小外,本质上与浮置基板前的等离子体鞘相同。为满足Bohm判据,进入鞘层的离子必须要有(kTe)/e的能量,因此也有一个准中性的过渡区。阳极鞘层的厚度很薄,通常比阴极鞘层约小一个数量级。但...[继续阅读]

    辉光放电中的阴极鞘层和阳极鞘层是等离子体与电极接触而产生的。实际上当等离子体与容器壁接触或在等离子体中插入任何一个绝缘体的表面也都会产生鞘层。等离子体化学中的许多现象和工艺技术都与电极或基片表面附近鞘层...[继续阅读]

    图3-10是高频等离子体发生装置的方框图。图3-10高频等离子体发生装置的方框图其中高频振荡器必须能承受负载阻抗的大幅度变化。从振荡器发出的信号先经过脉冲放大器放大,再经过功率放大后输出。阻抗匹配网络是为了使负载阻...[继续阅读]

    平行板型等离子体反应装置的等效电路如图3-13所示。图3-13平行板型等离子体反应装置的等效电路...[继续阅读]

    电场频率的变化将会对放电现象和特征,放电条件和结果都产生明显的影响,其原因在于击穿机制发生了变化。在交流电场中,若要使放电不受频率影响,电极间的带电粒子就必须在1/4周期内完全进入电极而不在极间形成空间电荷,否则放...[继续阅读]

    高频放电在增强电离和维持放电等方面比直流辉光放电有效得多,这已被许多实验事实所证明。首先,随着频率的增加,能够产生自持放电的最低允许气压明显下降。当频率为13.56MHz时气压低于1.33×10-1Pa还可维持放电。另外,放电气压相...[继续阅读]

    从上述的讨论中已经可以看到高频放电的优点。如无电极放电获得纯净的等离子体,增强电离提高放电效率等等。除此以外,还有一种情况,即当电极上覆盖绝缘性物质时,就必须采用高频放电不可了。电极上有绝缘层的情况在等离子体...[继续阅读]

    在高频放电回路中,为了增加用于放电区的功率消耗保护振荡器,常规的做法就是在高频电源与辉光放电反应器之间设置阻抗匹配网络。以便可以按不同放电条件进行调节,使得高频发生器和负载阻抗能够匹配。根据无线电原理,对于一...[继续阅读]

    高频电极的自偏压是一个重要的问题。但是并不是所有的射频放电装置都会产生自偏压。如果射频放电回路中没有隔直电容器,则不会产生自偏压如图3-19(a)所示。如果射频放电回路中有隔直电容器,则会产生自偏压如图3-19(b)所示。图...[继续阅读]

    高频放电的电位分布随反应装置的结构而异,不能一概而论。但无论如何,等离子体区总是呈最高电位,即等离子体电位Vp。器壁或置于等离子体中的绝缘性物质表面总是成浮置电位Vf。一般说来Vp约比Vf高10V左右。下面根据不同的反应装...[继续阅读]