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【日期】:2022-08-01 【关键词】:石墨相氮化碳;钨掺杂;薄膜电极;光电性能 【摘要】:采用高温液相生长法制备了不同钨(W)掺杂量的W/g-C3N4薄膜电极,并通过SEM、XRD、FTIR、UV/vis DRS、XPS等手段对薄膜电极进行表征。结果表明,掺杂的W以W~0、WO2和WO3等多种形态存在。