第38问 为何NMOS需要LDD掺杂而PMOS不要

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在LTPSTFT工艺中,如使用NMOS结构,需要在源漏重掺区域与沟道之间增加LDD(LightlyDopedDrain,轻掺杂漏区)结构,而PMOS则不需要。究其原因,我们整理了一些内容供大家参考。LDD结构是金氧半场效晶体管(MOSFET)为了减弱漏区电场,以改进热电子退 ......（本文共 506 字 ）     [阅读本文] >>


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