2.1.2 半导体P-N结、异质结和量子阱

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2.1.2 半导体P-N结、异质结和量子阱

由以上分析可知,在半导体中实现激射,必须有很高的载流子注入,准费米能级分别进入导带和价带。要在半导体中注入如此高的载流子浓度,必须克服技术上的困难。方法之一是光泵。在真空中实现的电子束注入也可以产生高密度的非 ......(本文共 2111 字 , 3 张图)     [阅读本文] >>


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