1.2.4 离子辅助沉积

离子辅助沉积(IonAssistedDeposition,IAD)基于电子枪蒸发(ElectronGunEvaporation,EGE)和Si的部分离子化(partialionization)[43],如图1.7所示。外加电压(externalvoltage或appliedvoltage)会加速Si离子向衬底的运动。典型的加速电压(accelerationvoltage)为20V,这在单晶 ......（本文共 1062 字 , 1 张图）     [阅读本文] >>