照片97 TiC沉淀在Si3N4中的高分辨结构像

照片97 TiC沉淀在Si3N4中的高分辨结构像图片(共1张):
照片97 TiC沉淀在Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>中的高分辨结构像
相界面完全处于非共格状态。由于它们体弹性模量的不同,TiC在析出后长大过程中,仍然在基体中引起一定程度的应变(如箭头所示的暗区)。左侧白色虚线所围区域为层错。(引自KHiraga,TohokuUniversity,Japan)......     (本文共 113 字 , 1 张图 )     >>[查看更多详细图片]



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