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微电子学(2025年05期)
Microelectronics

  • 基本信息
  • 四川固体电路研究所

    双月

    1004-3365

  • 50-1090/TN

    重庆市

    中文;

    大16开

    1971

  • 出版信息
  • 信息科技

    无线电电子学

    6992篇

  • 评价信息
  • 0.774

    0.438

  • CA 化学文摘(美)(2024)

    JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2024)

    Pж(AJ) 文摘杂志(俄)(2020)

    WJCI 科技期刊世界影响力指数报告(2023)来源期刊

    1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版,2023年版

    中科双效期刊;Caj-cd规范获奖期刊;

目 录

  • 面向RTL仿真的多平台并行加速技术综述
  • 面向SpinalHDL的大语言模型代码生成增强框架及性能评价基准
  • 脉冲神经网络的神经元重要性度量方法
  • 一种采用新型共模反馈方案的残差放大器设计
  • 恒定振幅低压控增益变化的宽带LC-VCO设计
  • 基于图像融合的近似加法器双维度评估框架
  • 一种集成新型CTLE的32 Gbps SerDes接收机模拟前端设计
  • 一种用于Pipeline ADC的采样噪声消除技术
  • 一种面向车规应用的低电压域高电源抑制的带隙基准源
  • 一种适用于双电极的全动态工频干扰抑制技术
  • 一种高精度低温漂的光耦隔离放大器
  • 一种高线性度压控占空比PWM产生电路
  • 一种具有高噪声抗扰度的高速电平移位电路
  • 5~6 GHz CMOS高精度幅相控制多功能芯片设计
  • 一种W波段SiGe BiCMOS下变频混频器
  • 基于滑尺法的高精度高动态范围的TDC的设计
  • 高速高精度模数转换器研究进展
  • 28 nm NMOS器件的热载流子退化特性研究
  • 基于BSIM-CMG紧凑模型的锗核-硅壳NSFET的SPICE建模
  • 界面陷阱电荷对NT-JLFET性能的影响研究
  • 电热应力下GaN功率器件阈值电压漂移及恢复特性研究
  • p-NiO RESURF结构的GaN HEMT特性研究
  • 一种VNPN双极器件总电离剂量辐射加固方法
  • 低能重离子对氧化铌莫特忆阻器的性能影响
  • 温度循环下陶瓷针栅阵列失效分析及优化研究
  • 28 nm SRAM型SoC FPGA的电离总剂量效应
  • 基于QML的宇航级超大规模集成电路封测可靠性评价方法
  • 热载荷环境下CSOP封装器件应力分析及优化
  • 集成电路设计与EDA技术专题前言
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