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固体电子学研究与进展(2025年03期)
Research & Progress of SSE
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- 基本信息
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:南京电子器件研究所
:双月
:1000-3819
- 出版信息
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: 信息科技
: 无线电电子学
: 4955 篇
- 评价信息
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:0.466
:0.298
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目 录
- 基于少数载流子寿命控制技术的增强型β-Ga2O3VDMOS器件的单粒子烧毁效应研究
- GaN/SiC/金刚石复合结构的应力调控与界面特性研究
- 高压硅基p-GaN栅结构GaN HEMT器件阈值电压稳定性研究
- 4H-SiC同质外延片上三角形缺陷尺寸的控制方法研究
- 硅基3D异构集成开关陷波微模组
- 基于0.25μm GaAs pHEMT工艺的Ku频段双通道延时放大多功能芯片
- 一款应用于5G毫米波通信的超宽带双模式低噪声放大器
- 宽带双圆极化低剖面天线及其阵列研究
- 一种低功耗快速起振晶体振荡器
- 一种抗噪声、高精度及瞬态增强的LDO电路设计
- 面向芯片自动测试设备应用的高速高精度时序生成器
- 随机掺杂波动效应及其快速数值求解研究
- 中频感应加热电源用大功率快速软恢复二极管的研制
- 温度循环加载下纳米银浆烧结工艺可靠性研究
- NiB化镀体系下HTCC外壳防止镀层剥落的工艺研究
- 征稿启事