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半导体技术(2024年12期)
Semiconductor Technology

  • 基本信息
  • 中国电子科技集团公司第十三研究所

    月刊

    1003-353X

  • 13-1109/TN

    河北省石家庄市

    中文;

    大16开

    18-65

    1976

  • 出版信息
  • 信息科技

    无线电电子学

    8318篇

  • 1198784次

    28491次

  • 评价信息
  • 0.502

    0.352

  • CA 化学文摘(美)(2020)

    SA 科学文摘(英)(2020)

    JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2018)

    Pж(AJ) 文摘杂志(俄)(2020)

    1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版

    Caj-cd规范获奖期刊;

目 录

  • 基于储能三电平变流器并联短路振荡的IGBT多参数优化策略
  • 基于静态特性优化和非线性电容效应的IGBT行为模型改进
  • 轨道交通用大功率IGBT结电容退化规律
  • 一种具备长期失效短路能力的弹性压接型IGBT器件
  • 基于生死单元技术的IGBT芯片焊料层失效演化机理
  • 寿命分散性对IGBT器件串联寿命评估的影响
  • 栅极电阻对SiC MOSFET半桥电路串扰的影响
  • SiC MOSFET关键动态参数测试技术研究及特性分析
  • 一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
  • 一种SiC MOSFET栅氧界面缺陷的POA优化工艺
  • 多层PCB互连应力测试技术及实验验证
  • 《半导体技术》2024年第49卷总目次
  • “功率半导体器件可靠性和失效分析”专刊前言
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