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半导体技术(2024年12期)
Semiconductor Technology
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- 基本信息
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:中国电子科技集团公司第十三研究所
:月刊
:1003-353X
- 出版信息
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: 信息科技
: 无线电电子学
:8318篇
- 评价信息
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:0.502
:0.352
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目 录
- 基于储能三电平变流器并联短路振荡的IGBT多参数优化策略
- 基于静态特性优化和非线性电容效应的IGBT行为模型改进
- 轨道交通用大功率IGBT结电容退化规律
- 一种具备长期失效短路能力的弹性压接型IGBT器件
- 基于生死单元技术的IGBT芯片焊料层失效演化机理
- 寿命分散性对IGBT器件串联寿命评估的影响
- 栅极电阻对SiC MOSFET半桥电路串扰的影响
- SiC MOSFET关键动态参数测试技术研究及特性分析
- 一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
- 一种SiC MOSFET栅氧界面缺陷的POA优化工艺
- 多层PCB互连应力测试技术及实验验证
- 《半导体技术》2024年第49卷总目次
- “功率半导体器件可靠性和失效分析”专刊前言