ICM是在给定温度和脉冲宽度(通常为1ms)条件下允许的集电极峰值电流,通常定义为额定电流值的2倍,这与高压IGBT模块的关断安全工作区RBSOA的电流上限是对应的,因此超过ICM电流值会存在高压IGBT模块关断失效和过热损坏的风险。...[继续阅读]

    如图9-3所示功率单元中各高压IGBT模块的开关状态可以得到通态损耗分布见表9-2。图9-3 功率单元中各IGBT模块的开关状态表9-2 通态损耗分布续开关损耗产生于不同开关状态相互转换时的换流过程。如相电流iph>0,从图9-3a “+”向图9-3...[继续阅读]

    该时间段内,IGBT2栅极通过驱动电阻RG放电,使栅极电压VGE从+VGE降低。但是在VGE降到足够低之前,高压IGBT模块不会退饱和,VCE和Ic的波形没有变化。...[继续阅读]

    二极管钳位三电平电路的短路方式除了与两电平电路相同的桥臂短路和负载短路外,还有相输出与直流母线之间的短路。如图9-21所示为一个U相输出与负直流母线N之间短路的例子。短路状态下,当V1、V2开通时,短路电流ISC1流经V1、V2至...[继续阅读]

    芯片是高压IGBT模块的核心组成部分,主要材料是Si或SiC。由Si材料组成的芯片通常称为硅片。用来做硅片的硅都是高纯度单晶硅,称为半导体级硅。...[继续阅读]

    三菱电机量产的最新一代3300V、4500V和6500V高压IGBT模块称为R系列,其中采用的是优化平面栅Fine Planar+LPT芯片技术,如图2-11所示。它与普通的平面栅结构相比,增加了一个载流子n层,同时减小了n-层的厚度。这种优化的设计降低了饱和压降...[继续阅读]

    图6-44为功率半导体器件稳态热阻的等效电路,图中各参数定义如下:P为功率半导体器件发生的功耗;Tj为芯片的结温;Tc为功率半导体器件外壳温度;Tf为散热器表面温度;Ta为周围环境温度;Rth(j-c)为结-壳间的热阻,与功率半导体器件的工艺...[继续阅读]

    图11-9为Converteam公司制造的风电变流器及其功率单元照片。功率单元也称为组件,是由单个高压IGBT模块或两个高压IGBT模块半桥固定在散热器上构成。在双馈型风电变流器中,根据输出功率和电流的要求,功率单元散热可以采用风冷,也可...[继续阅读]

    如前所述,电力电子装置可能由于某些原因发生短路故障,在短路故障状态,要求高压IGBT模块能够经受高电压、大电流应力而不致损坏。常见的短路模式有两种:短路模式1:高压IGBT模块开通之前,负载已经被一个非常小的寄生电感短路,或...[继续阅读]

    高压IGBT模块内部有集成的栅极电阻,用来抑制内部并联芯片之间的振荡。...[继续阅读]