重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究

摘要： 针对空间应用，开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1 200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26～118 MeV·cm~2/mg之间，辐照中被试器件加50～600 V静态漏源偏置电压、栅源短接，实时测量电特性，进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现，50～100 V偏置电压下，离子引起瞬态电流，PIGS测试栅失效...